Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения актуальной информации о ценах и наличии товара.
EASTECH Electronics

Доступно 24/7 по

+86 13632816717
EASTECH Electronics EASTECH Electronics

FET, MOSFET

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IXFT26N50Q

IXFT26N50Q

MOSFET N-CH 500V 26A TO268

IXYS

3,372
IXFT26N50Q

Технический лист

HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 26A (Tc) 10V 200mOhm @ 13A, 10V 4.5V @ 4mA 95 nC @ 10 V ±20V 3900 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
IXFT26N60Q

IXFT26N60Q

MOSFET N-CH 600V 26A TO268

IXYS

3,694
IXFT26N60Q

Технический лист

HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 26A (Tc) 10V 250mOhm @ 13A, 10V 4.5V @ 4mA 200 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
IXFT28N50Q

IXFT28N50Q

MOSFET N-CH 500V 28A TO268

IXYS

6,353

-

HiPerFET™, Q Class TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Box Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 28A (Tc) 10V 200mOhm @ 14A, 10V 4.5V @ 4mA 94 nC @ 10 V ±30V 3000 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
IXFT30N60Q

IXFT30N60Q

MOSFET N-CH 600V 30A TO268

IXYS

2,687
IXFT30N60Q

Технический лист

HiPerFET™, Q Class TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Box Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 230mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 4mA 125 nC @ 10 V ±20V 4700 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
IXFT60N25Q

IXFT60N25Q

MOSFET N-CH 250V 60A TO268

IXYS

8,373

-

HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 60A (Tc) 10V 47mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 180 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
IXFV12N80P

IXFV12N80P

MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220

IXYS

7,807
IXFV12N80P

Технический лист

HiPerFET™, PolarHT™ TO-220-3, Short Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 12A (Tc) 10V 850mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 2.5mA 51 nC @ 10 V ±30V 2800 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS220
IXFV12N80PS

IXFV12N80PS

MOSFET N-CH 800V 12A PLUS-220SMD

IXYS

3,914
IXFV12N80PS

Технический лист

HiPerFET™, PolarHT™ PLUS-220SMD Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 12A (Tc) 10V 850mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 2.5mA 51 nC @ 10 V ±30V 2800 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PLUS-220SMD
IXFV14N80P

IXFV14N80P

MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220

IXYS

2,153
IXFV14N80P

Технический лист

HiPerFET™, PolarHT™ TO-220-3, Short Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 14A (Tc) 10V 720mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 4mA 61 nC @ 10 V ±30V 3900 pF @ 25 V - 400W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS220
IXFV14N80PS

IXFV14N80PS

MOSFET N-CH 800V 14A PLUS-220SMD

IXYS

5,021
IXFV14N80PS

Технический лист

HiPerFET™, PolarHT™ PLUS-220SMD Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 14A (Tc) 10V 720mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 4mA 61 nC @ 10 V ±30V 3900 pF @ 25 V - 400W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PLUS-220SMD
IXFV16N80PS

IXFV16N80PS

MOSFET N-CH 800V 16A PLUS-220SMD

IXYS

8,648
IXFV16N80PS

Технический лист

HiPerFET™, PolarHT™ PLUS-220SMD Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 16A (Tc) 10V 600mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 4mA 71 nC @ 10 V ±30V 4600 pF @ 25 V - 460W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PLUS-220SMD
IXFV20N80PS

IXFV20N80PS

MOSFET N-CH 800V 20A PLUS-220SMD

IXYS

2,178
IXFV20N80PS

Технический лист

HiPerFET™, PolarHT™ PLUS-220SMD Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 20A (Tc) 10V 520mOhm @ 10A, 10V 5V @ 4mA 86 nC @ 10 V ±30V 4685 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PLUS-220SMD
IXFV74N20P

IXFV74N20P

MOSFET N-CH 200V 74A PLUS220

IXYS

6,947
IXFV74N20P

Технический лист

PolarHT™ HiPerFET™ TO-220-3, Short Tab Box Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 74A (Tc) 10V 34mOhm @ 37A, 10V 5V @ 4mA 107 nC @ 10 V ±20V 3300 pF @ 25 V - 480W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PLUS220
IXFV74N20PS

IXFV74N20PS

MOSFET N-CH 200V 74A PLUS-220SMD

IXYS

2,199
IXFV74N20PS

Технический лист

PolarHT™ HiPerFET™ PLUS-220SMD Box Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 74A (Tc) 10V 34mOhm @ 37A, 10V 5V @ 4mA 107 nC @ 10 V ±20V 3300 pF @ 25 V - 480W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PLUS-220SMD
IXFV96N15P

IXFV96N15P

MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220

IXYS

4,156
IXFV96N15P

Технический лист

PolarHT™ HiPerFET™ TO-220-3, Short Tab Box Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 96A (Tc) 10V 24mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 4mA 110 nC @ 10 V ±20V 3500 pF @ 25 V - 480W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PLUS220
IXFX12N90Q

IXFX12N90Q

MOSFET N-CH 900V 12A PLUS247-3

IXYS

4,185
IXFX12N90Q

Технический лист

HiPerFET™, Q Class TO-247-3 Variant Box Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 12A (Tc) 10V 900mOhm @ 6A, 10V 5.5V @ 4mA 90 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXFX21N100Q

IXFX21N100Q

MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3

IXYS

6,455
IXFX21N100Q

Технический лист

HiPerFET™, Q Class TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 21A (Tc) 10V 500mOhm @ 10.5A, 10V 5.5V @ 4mA 170 nC @ 10 V ±20V 6900 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXFX26N60Q

IXFX26N60Q

MOSFET N-CH 600V 26A PLUS247-3

IXYS

9,723
IXFX26N60Q

Технический лист

HiPerFET™ TO-247-3 Variant Box Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 26A (Tc) 10V 250mOhm @ 13A, 10V 4.5V @ 4mA 200 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXFX30N100Q2

IXFX30N100Q2

MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247-3

IXYS

3,251
IXFX30N100Q2

Технический лист

HiPerFET™, Q2 Class TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 30A (Tc) 10V 400mOhm @ 15A, 10V 5V @ 8mA 186 nC @ 10 V ±30V 8200 pF @ 25 V - 735W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXFX38N80Q2

IXFX38N80Q2

MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247-3

IXYS

9,083
IXFX38N80Q2

Технический лист

HiPerFET™, Q2 Class TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 38A (Tc) 10V 220mOhm @ 19A, 10V 4.5V @ 8mA 190 nC @ 10 V ±30V 8340 pF @ 25 V - 735W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXFX44N55Q

IXFX44N55Q

MOSFET N-CH 550V 44A PLUS247-3

IXYS

9,666
IXFX44N55Q

Технический лист

HiPerFET™, Q Class TO-247-3 Variant Box Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 44A (Tc) 10V 120mOhm @ 22A, 10V 4.5V @ 4mA 190 nC @ 10 V ±20V 6400 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3

Начать сейчас!

Получайте последние новости

EASTECH Electronics

Главная

EASTECH Electronics

Поиск

EASTECH Electronics

Продукты

EASTECH Electronics

Whatsapp

Отправка...
×
Отправлено успешно!
Спасибо за вашу заявку. Наши сотрудники отдела продаж получат ваш запрос и свяжутся с вами в течение 12 часов с коммерческим предложением.