Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения актуальной информации о ценах и наличии товара.
EASTECH Electronics

Доступно 24/7 по

+86 13632816717
EASTECH Electronics EASTECH Electronics

FET, MOSFET

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
FQB6N70TM

FQB6N70TM

MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK

onsemi

6,028
FQB6N70TM

Технический лист

QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 6.2A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 3.1A, 10V 5V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±30V 1400 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 142W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
FQP7N80

FQP7N80

MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3

onsemi

4,568
FQP7N80

Технический лист

QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 6.6A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 3.3A, 10V 5V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±30V 1850 pF @ 25 V - 167W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
FQP34N20L

FQP34N20L

MOSFET N-CH 200V 31A TO220-3

onsemi

2,754
FQP34N20L

Технический лист

QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 31A (Tc) 5V, 10V 75mOhm @ 15.5A, 10V 2V @ 250µA 72 nC @ 5 V ±20V 3900 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
HUF75637P3

HUF75637P3

MOSFET N-CH 100V 44A TO220-3

onsemi

6,067
HUF75637P3

Технический лист

UltraFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 44A (Tc) 10V 30mOhm @ 44A, 10V 4V @ 250µA 108 nC @ 20 V ±20V 1700 pF @ 25 V - 155W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
FQI47P06TU

FQI47P06TU

MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK

onsemi

4,074
FQI47P06TU

Технический лист

QFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 47A (Tc) 10V 26mOhm @ 23.5A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±25V 3600 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
FQPF7N80

FQPF7N80

MOSFET N-CH 800V 3.8A TO220F

onsemi

8,171
FQPF7N80

Технический лист

QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 3.8A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1.9A, 10V 5V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±30V 1850 pF @ 25 V - 56W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
HUF76439S3S

HUF76439S3S

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

onsemi

2,633
HUF76439S3S

Технический лист

UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 12mOhm @ 75A, 10V 3V @ 250µA 84 nC @ 10 V ±16V 2745 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
HUF75639S3S

HUF75639S3S

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

onsemi

2,653

-

UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 56A (Tc) 10V 25mOhm @ 56A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 20 V ±20V 2000 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
HUFA75337S3ST

HUFA75337S3ST

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

onsemi

3,367
HUFA75337S3ST

Технический лист

UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 14mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 109 nC @ 20 V ±20V 1775 pF @ 25 V - 175W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
FQP34N20

FQP34N20

MOSFET N-CH 200V 31A TO220-3

onsemi

6,877
FQP34N20

Технический лист

QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 31A (Tc) 10V 75mOhm @ 15.5A, 10V 5V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±30V 3100 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
HUF76639S3S

HUF76639S3S

MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK

onsemi

6,283
HUF76639S3S

Технический лист

UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 51A (Tc) 4.5V, 10V 26mOhm @ 51A, 10V 3V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±16V 2400 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
FQA13N50C

FQA13N50C

MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P

onsemi

8,783
FQA13N50C

Технический лист

QFET® TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 13.5A (Tc) 10V 480mOhm @ 6.75A, 10V 4V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±30V 2055 pF @ 25 V - 218W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
FQP70N10

FQP70N10

MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3

onsemi

7,069
FQP70N10

Технический лист

QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 57A (Tc) 10V 23mOhm @ 28.5A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±25V 3300 pF @ 25 V - 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
FQB85N06TM_AM002

FQB85N06TM_AM002

MOSFET N-CH 60V 85A D2PAK

onsemi

6,994
FQB85N06TM_AM002

Технический лист

QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 85A (Tc) 10V 10mOhm @ 42.5A, 10V 4V @ 250µA 112 nC @ 10 V ±25V 4120 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
FQB12N60CTM

FQB12N60CTM

MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK

onsemi

3,764
FQB12N60CTM

Технический лист

QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 650mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±30V 2290 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 225W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
FQPF85N06

FQPF85N06

MOSFET N-CH 60V 53A TO220F

onsemi

3,839
FQPF85N06

Технический лист

QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 53A (Tc) 10V 10mOhm @ 26.5A, 10V 4V @ 250µA 112 nC @ 10 V ±25V 4120 pF @ 25 V - 62W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
FQB46N15TM_AM002

FQB46N15TM_AM002

MOSFET N-CH 150V 45.6A D2PAK

onsemi

5,906
FQB46N15TM_AM002

Технический лист

QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 45.6A (Tc) 10V 42mOhm @ 22.8A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±25V 3250 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 210W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
FQA6N80

FQA6N80

MOSFET N-CH 800V 6.3A TO3P

onsemi

8,010
FQA6N80

Технический лист

QFET® TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 6.3A (Tc) 10V 1.95Ohm @ 3.15A, 10V 5V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±30V 1500 pF @ 25 V - 185W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
FQAF6N80

FQAF6N80

MOSFET N-CH 800V 4.4A TO3PF

onsemi

4,333
FQAF6N80

Технический лист

QFET® TO-3P-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4.4A (Tc) 10V 1.95Ohm @ 2.2A, 10V 5V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±30V 1500 pF @ 25 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
SFH9250L

SFH9250L

MOSFET P-CH 200V 19.5A TO3P

onsemi

3,638
SFH9250L

Технический лист

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 19.5A (Tc) 5V 230mOhm @ 9.8A, 5V 2V @ 250µA 120 nC @ 5 V ±20V 3250 pF @ 25 V - 204W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P

Начать сейчас!

Получайте последние новости

EASTECH Electronics

Главная

EASTECH Electronics

Поиск

EASTECH Electronics

Продукты

EASTECH Electronics

Whatsapp

Отправка...
×
Отправлено успешно!
Спасибо за вашу заявку. Наши сотрудники отдела продаж получат ваш запрос и свяжутся с вами в течение 12 часов с коммерческим предложением.