Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения актуальной информации о ценах и наличии товара.

FET, MOSFET

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
STL23NM60ND

STL23NM60ND

MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT

STMicroelectronics

5,247
STL23NM60ND

Технический лист

FDmesh™ II 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 19.5A (Tc) 10V 180mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±25V 2050 pF @ 50 V - 3W (Ta), 150W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
IRFPS38N60LPBF

IRFPS38N60LPBF

MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247

Vishay Siliconix

4,737
IRFPS38N60LPBF

Технический лист

- TO-274AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 38A (Tc) 10V 150mOhm @ 23A, 10V 5V @ 250µA 320 nC @ 10 V ±30V 7990 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
IXFK16N90Q

IXFK16N90Q

MOSFET N-CH 900V 16A TO264AA

IXYS

5,942
IXFK16N90Q

Технический лист

HiPerFET™, Q Class TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 16A (Tc) 10V 650mOhm @ 8A, 10V 5V @ 4mA 170 nC @ 10 V ±20V 4000 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
IXFR15N80Q

IXFR15N80Q

MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247

IXYS

5,502

-

HiPerFET™, Q Class TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 13A (Tc) 10V 600mOhm @ 7.5A, 10V 4.5V @ 4mA 90 nC @ 10 V ±20V 4300 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
IXFX32N80P

IXFX32N80P

MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247-3

Littelfuse Inc.

7,681
IXFX32N80P

Технический лист

HiPerFET™, Polar TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 32A (Tc) 10V 270mOhm @ 16A, 10V 5V @ 8mA 150 nC @ 10 V ±30V 8800 pF @ 25 V - 830W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
STB30NM50N

STB30NM50N

MOSFET N-CH 500V 27A D2PAK

STMicroelectronics

3,903
STB30NM50N

Технический лист

MDmesh™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 27A (Tc) 10V 115mOhm @ 13.5A, 10V 4V @ 250µA 94 nC @ 10 V ±25V 2740 pF @ 50 V - 190W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
STB30NM60ND

STB30NM60ND

MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK

STMicroelectronics

2,470
STB30NM60ND

Технический лист

FDmesh™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Tc) 10V 130mOhm @ 12.5A, 10V 5V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±25V 2800 pF @ 50 V - 190W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IXTH67N10

IXTH67N10

MOSFET N-CH 100V 67A TO247

IXYS

6,643
IXTH67N10

Технический лист

MegaMOS™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 67A (Tc) 10V 25mOhm @ 33.5A, 10V 4V @ 4mA 260 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
IXFH13N100

IXFH13N100

MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO247AD

IXYS

7,804
IXFH13N100

Технический лист

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 12.5A (Tc) 10V 900mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 4mA 155 nC @ 10 V ±20V 4000 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IRLMS2002TR

IRLMS2002TR

MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP

Infineon Technologies

9,092
IRLMS2002TR

Технический лист

- SOT-23-6 Cut Tape (CT) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 6.5A (Ta) - 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 1.2V @ 250µA 22 nC @ 5 V - 1310 pF @ 15 V - - - - - Surface Mount Micro6™(SOT23-6)
IRFP22N60K

IRFP22N60K

MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3

Vishay Siliconix

4,050

-

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 22A (Tc) 10V 280mOhm @ 13A, 10V 5V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±30V 3570 pF @ 25 V - 370W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
G3R160MT17J

G3R160MT17J

SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7

GeneSiC Semiconductor

6,975
G3R160MT17J

Технический лист

G3R™, LoRing™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1700 V 18A (Tc) 15V 224mOhm @ 10A, 15V 2.7V @ 5mA 29 nC @ 15 V ±15V 854 pF @ 1000 V - 187W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
IXFT30N50P

IXFT30N50P

MOSFET N-CH 500V 30A TO268

Littelfuse Inc.

4,725
IXFT30N50P

Технический лист

HiPerFET™, Polar TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 30A (Tc) 10V 200mOhm @ 15A, 10V 5V @ 4mA 70 nC @ 10 V ±30V 4150 pF @ 25 V - 460W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
IXFX200N10P

IXFX200N10P

MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3

Littelfuse Inc.

8,700
IXFX200N10P

Технический лист

HiPerFET™, Polar TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 200A (Tc) 10V 7.5mOhm @ 100A, 10V 5V @ 8mA 235 nC @ 10 V ±20V 7600 pF @ 25 V - 830W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
APT34F60BG

APT34F60BG

MOSFET N-CH 600V 34A TO247-3

Microsemi Corporation

3,325

-

POWER MOS 8™ TO-247-3 Tube Discontinued N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 34A (Tc) 10V 210mOhm @ 17A, 10V 5V @ 1mA 165 nC @ 10 V ±30V 6640 pF @ 25 V - 624W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
LSIC1MO120E0120

LSIC1MO120E0120

SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3

Littelfuse Inc.

4,528
LSIC1MO120E0120

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 27A (Tc) 20V 150mOhm @ 14A, 20V 4V @ 7mA 80 nC @ 20 V +22V, -6V 1125 pF @ 800 V - 139W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
IXTH14N100

IXTH14N100

MOSFET N-CH 1000V 14A TO247

IXYS

2,663

-

MegaMOS™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 14A (Tc) 10V 820mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 250µA 195 nC @ 10 V ±20V 5650 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
IRFPS40N60KPBF

IRFPS40N60KPBF

MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247

Vishay Siliconix

5,732
IRFPS40N60KPBF

Технический лист

- TO-274AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 40A (Tc) 10V 130mOhm @ 24A, 10V 5V @ 250µA 330 nC @ 10 V ±30V 7970 pF @ 25 V - 570W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
IRFPG50

IRFPG50

MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO247-3

Vishay Siliconix

2,672
IRFPG50

Технический лист

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 6.1A (Tc) 10V 2Ohm @ 3.6A, 10V 4V @ 250µA 190 nC @ 10 V ±20V 2800 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
MKE11R600DCGFC

MKE11R600DCGFC

MOSFET N-CH 600V 15A I4PAC

IXYS

2,162

-

CoolMOS™ ISOPLUSi5-PAK™ Box Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Tc) 10V 165mOhm @ 12A, 10V 3.5V @ 790µA 52 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 100 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™

Начать сейчас!

Получайте последние новости

EASTECH Electronics

Главная

EASTECH Electronics

Поиск

EASTECH Electronics

Продукты

EASTECH Electronics

Whatsapp

Отправка...
×
Отправлено успешно!
Спасибо за вашу заявку. Наши сотрудники отдела продаж получат ваш запрос и свяжутся с вами в течение 12 часов с коммерческим предложением.