Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения актуальной информации о ценах и наличии товара.

FET, MOSFET

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
UJ4C075044K3S

UJ4C075044K3S

750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T

Qorvo

664
UJ4C075044K3S

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 750 V 37.4A (Tc) 12V 56mOhm @ 25A, 12V 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V ±20V 1400 pF @ 400 V - 203W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXFP34N65X3

IXFP34N65X3

MOSFET 34A 650V X3 TO220

Littelfuse Inc.

599
IXFP34N65X3

Технический лист

HiPerFET™, Ultra X3 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 34A (Tc) - 100mOhm @ 17A, 10V 5.2V @ 2.5mA 29 nC @ 10 V ±20V 2025 pF @ 25 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3 (IXFP)
NVB082N65S3F

NVB082N65S3F

MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3

onsemi

3,983
NVB082N65S3F

Технический лист

SuperFET® III, FRFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 40A (Tc) 10V 82mOhm @ 20A, 10V 5V @ 4mA 81 nC @ 10 V ±30V 3410 pF @ 400 V - 313W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IXFQ34N50P3

IXFQ34N50P3

MOSFET N-CH 500V 34A TO3P

IXYS

582
IXFQ34N50P3

Технический лист

HiPerFET™, Polar3™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 34A (Tc) 10V 170mOhm @ 17A, 10V 5V @ 4mA 60 nC @ 10 V ±30V 3260 pF @ 25 V - 695W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
IXFH20N85X

IXFH20N85X

MOSFET N-CH 850V 20A TO247

Littelfuse Inc.

212
IXFH20N85X

Технический лист

HiPerFET™, Ultra X TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 850 V 20A (Tc) 10V 330mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 2.5mA 63 nC @ 10 V ±30V 1660 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
C3M0160120D

C3M0160120D

SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3

Wolfspeed, Inc.

1,657
C3M0160120D

Технический лист

C3M™ TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 17A (Tc) 15V 208mOhm @ 8.5A, 15V 3.6V @ 2.33mA 38 nC @ 15 V +15V, -4V 632 pF @ 1000 V - 97W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IPW65R041CFD7XKSA1

IPW65R041CFD7XKSA1

650V FET COOLMOS TO247

Infineon Technologies

230
IPW65R041CFD7XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ CFD7 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 50A (Tc) 10V 41mOhm @ 24.8A, 10V 4.5V @ 1.24mA 102 nC @ 10 V ±20V 4975 pF @ 400 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
STW12N150K5

STW12N150K5

MOSFET N-CH 1500V 7A TO247

STMicroelectronics

490
STW12N150K5

Технический лист

MDmesh™ K5 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1500 V 7A (Tc) 10V 1.9Ohm @ 3.5A, 10V 5V @ 100µA 47 nC @ 10 V ±30V 1360 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
MSC180SMA120S

MSC180SMA120S

MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26

Microchip Technology

256
MSC180SMA120S

Технический лист

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 21A (Tc) 20V 225mOhm @ 8A, 20V 3.26V @ 500µA 34 nC @ 20 V +23V, -10V 510 pF @ 1000 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D3PAK
STW68N65DM6-4AG

STW68N65DM6-4AG

MOSFET N-CH 650V 72A TO247-4

STMicroelectronics

561
STW68N65DM6-4AG

Технический лист

MDmesh™ TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 72A (Tc) - 39mOhm @ 36A, 10V 4.75V @ 250µA 118 nC @ 10 V ±25V 5900 pF @ 100 V - 480W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4
APT22F80B

APT22F80B

MOSFET N-CH 800V 23A TO247

Microchip Technology

262
APT22F80B

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 23A (Tc) 10V 500mOhm @ 12A, 10V 5V @ 1mA 150 nC @ 10 V ±30V 4595 pF @ 25 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
IXTH48N65X2

IXTH48N65X2

MOSFET N-CH 650V 48A TO247

Littelfuse Inc.

548
IXTH48N65X2

Технический лист

Ultra X2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 48A (Tc) 10V 68mOhm @ 24A, 10V 4.5V @ 4mA 77 nC @ 10 V ±30V 4420 pF @ 25 V - 660W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
IXFH20N80P

IXFH20N80P

MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD

Littelfuse Inc.

300
IXFH20N80P

Технический лист

HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 20A (Tc) 10V 520mOhm @ 10A, 10V 5V @ 4mA 86 nC @ 10 V ±30V 4685 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IMBG65R057M1HXTMA1

IMBG65R057M1HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Infineon Technologies

886
IMBG65R057M1HXTMA1

Технический лист

CoolSiC™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 39A (Tc) 18V 74mOhm @ 16.7A, 18V 5.7V @ 5mA 28 nC @ 18 V +23V, -5V 930 pF @ 400 V - 161W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-12
IXTP32P20T

IXTP32P20T

MOSFET P-CH 200V 32A TO220AB

Littelfuse Inc.

311
IXTP32P20T

Технический лист

TrenchP™ TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 32A (Tc) 10V 130mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 185 nC @ 10 V ±15V 14500 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
UJ4C075044K4S

UJ4C075044K4S

750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T

Qorvo

437
UJ4C075044K4S

Технический лист

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 750 V 37.4A (Tc) 12V 56mOhm @ 25A, 12V 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V ±20V 1400 pF @ 400 V - 203W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
UJ4C075033B7S

UJ4C075033B7S

750V/33MOHM, N-OFF SIC CASCODE,

Qorvo

526
UJ4C075033B7S

Технический лист

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 750 V 44A (Tc) 12V 41mOhm @ 30A, 12V 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V ±20V 1400 pF @ 400 V - 197W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK-7
IXFH30N60P

IXFH30N60P

MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD

Littelfuse Inc.

300
IXFH30N60P

Технический лист

HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 240mOhm @ 15A, 10V 5V @ 4mA 82 nC @ 10 V ±30V 4000 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
IXFQ50N50P3

IXFQ50N50P3

MOSFET N-CH 500V 50A TO3P

IXYS

253
IXFQ50N50P3

Технический лист

HiPerFET™, Polar3™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 50A (Tc) 10V 120mOhm @ 25A, 10V 5V @ 4mA 85 nC @ 10 V ±30V 4335 pF @ 25 V - 960W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
IXTA94N20X4

IXTA94N20X4

MOSFET 200V 94A N-CH ULTRA TO263

Littelfuse Inc.

1,628
IXTA94N20X4

Технический лист

Ultra X4 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 94A (Tc) 10V 10.6mOhm @ 47A, 10V 4.5V @ 250µA 77 nC @ 10 V ±20V 5050 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Total 36322 Record«Prev1... 105106107108109110111112...1817Next»

Начать сейчас!

Получайте последние новости

EASTECH Electronics

Главная

EASTECH Electronics

Поиск

EASTECH Electronics

Продукты

EASTECH Electronics

Whatsapp

Отправка...
×
Отправлено успешно!
Спасибо за вашу заявку. Наши сотрудники отдела продаж получат ваш запрос и свяжутся с вами в течение 12 часов с коммерческим предложением.